تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا

تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا

پوشش عایق سطح جانبی در وریستورهای اکسید روی به صورت ترموست، لعاب یا پوششهای سرامیکی قابل اعمال می باشند

تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا

چکیده مقاله:

پوشش عایق سطح جانبی در وریستورهای اکسید روی به صورت ترموست، لعاب یا پوششهای سرامیکی قابل اعمال می باشند . در پوششهای سربی مرسوم که بر روی قرص زینتر شده اعمال می گردند، با وجود دمای زینتر پایین، دو سیکل حرارتی مجزا مورد نیاز است . از طرف دیگر بخاطر سمی بودن ترکیبات سربی و مشکلات فریت سازی ، همواره حذف سرب از اجزاء پوشش مورد نظر بوده است . مزیت ردة جدید پوششهای مورد استفاده، یعنی پوشش های دما بالا، در اعمال دوغاب بر روی نمونة خام و پخت همزمان پوشش و بدنه در همان درجه حرارت زینتر بدنة ZnO می باشد که صرفه اقتصادی و زمانی را به دنبال خواهد داشت . در این مقاله، تهیه و اعمال پوششهای بر پایه SiO2 و Fe2O3 ارائه شده و همچنین تاثیر افزودن Bi2O3 ، B2O3 و Al2O3 بر خواص فیزیکی و الکتریکی پوشش قرصهای بهینه سازی شده، مورد بررسی قرار گرفته است . نتایج نشان میدهد که تمامی پوشش های تهیه شده ازواکنش پذیری خوبی با سطح بدنه برخوردارمی باشند . تصاویرحاصل از SEM پوشش ها وبدنه بهینه سازی شده نیز نتایج خوبی از نظر واکنش پذیری پوشش و بدنه و وجود تخلخل در نمونه ها ارائه می دهد .

برچسب ها : تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا , تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا , پروژه , پژوهش , مقاله , جزوه , تحقیق , دانلود مقاله , دانلود جزوه , دانلود تحقیق , دانلود پژوهش